Analyse physique et thermique des structures TLM AlGaN/GaN

Abstract

Pour les applications de puissance, la puissance dissipée dans un composant à base de GaN devient trèssignificative et par conséquent produit un effet d’auto-échauffement très important. L’auto-échauffement dans lecomposant augmente considérablement la température de réseau et donc dégrade les propriétés de transport dumatériau. Il est nécessaire de tenir compte des effets thermiques afin de comprendre et expliquer les phénomènesphysiques observés et de déterminer le comportement en température des dispositifs.Le but de cette étude consiste à estimer les effets d’auto-échauffement sur les caractéristiques statiques destructures TLM (Transmission Line Model) sur des epitaxies AlGaN/GaN. Pour cet objectif, un modèle Physico-Thermique que nous avons développé est utilisé afin d’étudier les phénomènes électriques et thermiques d’une manièrecouplée. Cette étude est validée par des mesures électriques concernant les caractéristiques I-V et également par desmesures physiques en utilisant la spectroscopie Micro-Raman