Fabrication of AlGaN/GaN HEMTs developed ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Fabrication of AlGaN/GaN HEMTs developed on new composites substrates
Auteur(s) :
Hoel, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boulay, S. [Auteur]
Raballand, V. [Auteur]
Gerard, H. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
Brylinski, C. [Auteur]
Lahreche, H. [Auteur]
Langer, R. [Auteur]
Bove, P. [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boulay, S. [Auteur]
Raballand, V. [Auteur]
Gerard, H. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Poisson, M.A. [Auteur]
Brylinski, C. [Auteur]
Lahreche, H. [Auteur]
Langer, R. [Auteur]
Bove, P. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
Proceedings of the 31th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2007
Ville :
Venice
Pays :
Italie
Date de début de la manifestation scientifique :
2007
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :