Thermal beheviours of AlGaN/GaN HEMT devices
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Thermal beheviours of AlGaN/GaN HEMT devices
Author(s) :
Aubry, Raphaël [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Jacquet, Jean-Claude [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Morvan, Erwan [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Dua, Charu [Auteur]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gerard, H. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
THALES [France]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Jacquet, Jean-Claude [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Morvan, Erwan [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Dua, Charu [Auteur]
Defrance, Nicolas [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gerard, H. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
THALES [France]
Conference title :
ESA/DGA Workshop
City :
Noordwijk
Country :
Pays-Bas
Start date of the conference :
2007
Book title :
_
Publication date :
2007
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :