Development of InAs/AlSb HEMT technology ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Development of InAs/AlSb HEMT technology for high-frequency operation
Author(s) :
Grahn, J. [Auteur]
Lefebvre, E. [Auteur]
Borg, M. [Auteur]
Malmkvist, M. [Auteur]
Desplanque, L. [Auteur]
Wallart, X. [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Cappy, A. [Auteur]
Bollaert, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lefebvre, E. [Auteur]
Borg, M. [Auteur]
Malmkvist, M. [Auteur]
Desplanque, L. [Auteur]
Wallart, X. [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur]

Dambrine, Gilles [Auteur]

Cappy, A. [Auteur]
Bollaert, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
Proceedings of the 31th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2007
City :
Venice
Country :
Italie
Start date of the conference :
2007
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :