Investigation of the ytterbium silicide ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Investigation of the ytterbium silicide as low Schottky barrier source/drain contact material for n-type MOSFET
Author(s) :
Yarekha, Dmytro [Auteur]
Larrieu, G. [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Godey, Sylvie [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Soyer, Caroline [Auteur]
Remiens, Denis [Auteur]
Reckinger, N. [Auteur]
Tang, Xing [Auteur]
Laszcz, A. [Auteur]
Ratajczak, J. [Auteur]

Larrieu, G. [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Godey, Sylvie [Auteur]

Wallart, Xavier [Auteur]

Soyer, Caroline [Auteur]

Remiens, Denis [Auteur]

Reckinger, N. [Auteur]
Tang, Xing [Auteur]
Laszcz, A. [Auteur]
Ratajczak, J. [Auteur]
Conference title :
Journées Nationales sur les Technologies Emergentes en Micro-nanofabrication, JNTE 08
City :
Toulouse
Country :
France
Start date of the conference :
2008
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :