High power performances of GaN HEMT on ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
High power performances of GaN HEMT on SopSiC substrate
Auteur(s) :
Zanon, F. [Auteur]
Danesin, F. [Auteur]
Tazzoli, A. [Auteur]
Montanari, G. [Auteur]
Chini, A. [Auteur]
Thorpe, J. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Meneghesso, G. [Auteur]
Zanoni, E. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008
Pays :
Belgique
Date de début de la manifestation scientifique :
2008
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008
Éditeur :
_
Date de publication :
2008
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL