Fabrication technology and device performance ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/ICIPRM.2008.4702912
Titre :
Fabrication technology and device performance of ultra-short 30-nm-gate pseudomorphic In0.52Al0.48As/In0.75Ga0.25As HEMTs
Auteur(s) :
Wichmann, Nicolas [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Shchepetov, A. [Auteur]
Duszynski, I. [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur] refId
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Dambrine, Gilles [Auteur] refId
Cappy, Alain [Auteur] refId
Bollaert, Sylvain [Auteur] refId
Titre de la manifestation scientifique :
IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2008
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08
Éditeur :
_
Date de publication :
2008
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
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