Fabrication technology and device performance ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/ICIPRM.2008.4702912
Title :
Fabrication technology and device performance of ultra-short 30-nm-gate pseudomorphic In0.52Al0.48As/In0.75Ga0.25As HEMTs
Author(s) :
Wichmann, Nicolas [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Shchepetov, A. [Auteur]
Duszynski, I. [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur] refId
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Dambrine, Gilles [Auteur] refId
Cappy, Alain [Auteur] refId
Bollaert, Sylvain [Auteur] refId
Conference title :
IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08
Country :
France
Start date of the conference :
2008
Book title :
Proceedings of the IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08
Publisher :
_
Publication date :
2008
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL