Selective wet chemical etching of GaInSb ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/ICIPRM.2008.4702971
Titre :
Selective wet chemical etching of GaInSb and AlInSb for 6.25 Å HBT fabrication
Auteur(s) :
Mairiaux, E. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur] refId
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Dambrine, Gilles [Auteur] refId
Zaknoune, Mohammed [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2008
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08
Éditeur :
_
Date de publication :
2008
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL