Selective wet chemical etching of GaInSb ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes: Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1109/ICIPRM.2008.4702971
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/50990
Title :
Selective wet chemical etching of GaInSb and AlInSb for 6.25 Å HBT fabrication
Author(s) :
Mairiaux, E. [Auteur]
Desplanque, L. [Auteur]
Wallart, X. [Auteur]
Dambrine, G. [Auteur]
Zaknoune, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08
Country :
France
Start date of the conference :
2008
Book title :
Proceedings of the IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08
Publisher :
_
Publication date :
2008
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T19:48:16Z