Selective wet chemical etching of GaInSb ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes: Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1109/ICIPRM.2008.4702971
URL permanente :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/50990
Titre :
Selective wet chemical etching of GaInSb and AlInSb for 6.25 Å HBT fabrication
Auteur(s) :
Mairiaux, E. [Auteur]
Desplanque, L. [Auteur]
Wallart, X. [Auteur]
Dambrine, G. [Auteur]
Zaknoune, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2008
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08
Éditeur :
_
Date de publication :
2008
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Date de dépôt :
2021-07-27T19:48:16Z