Characterization of silicon nitride thin ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes: Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1109/ULIS.2008.4527173
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/50996
Title :
Characterization of silicon nitride thin films used as stressor liners on CMOS FETs
Author(s) :
Raymond, G. [Auteur]
Morin, Pascal [Auteur]
Devos, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hess, D.A. [Auteur]
Braccini, M. [Auteur]
Volpi, F. [Auteur]
Conference title :
9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, ULIS 2008
Country :
Italie
Start date of the conference :
2008
Book title :
Proceedings of the 9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, ULIS 2008
Publisher :
_
Publication date :
2008
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T19:48:34Z