Status of the emerging InAlN/GaN power ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
Status of the emerging InAlN/GaN power HEMT technology
Author(s) :
Medjdoub, Farid [Auteur]
Carlin, J.F. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandjean, N. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]

Carlin, J.F. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandjean, N. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Journal title :
Open Electrical and Electronic Engineering Journal
Pages :
1-7
Publisher :
Bentham Open
Publication date :
2008
ISSN :
1874-1290
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :
Files
- http://benthamopen.com/contents/pdf/TOEEJ/TOEEJ-2-1.pdf
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