Gate pulse electrical method to characterize ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1016/j.orgel.2008.07.013
URL permanente :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/51134
Titre :
Gate pulse electrical method to characterize hysteresis phenomena in organic field effect transistor
Auteur(s) :
Petit, C. [Auteur]
Zander, D. [Auteur]
Lmimouni, K. [Auteur]
Ternisien, M. [Auteur]
Tondelier, D. [Auteur]
Lenfant, S. [Auteur]
Vuillaume, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2008
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Date de dépôt :
2021-07-27T19:59:18Z