Titre :

In-plane silicon-on-nothing nanometer-scale resonant suspended gate MOSFET for in-IC integration perspectives

Auteur(s) :

Durand, C. [Auteur]
Casset, F. [Auteur]
Renaux, P. [Auteur]
Abele, N. [Auteur]
Legrand, Bernard [Auteur]
Renaud, D. [Auteur]
Ollier, E. [Auteur]
Ancey, P. [Auteur]
Ionescu, A.M. [Auteur]
Buchaillot, L. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

IEEE Electron Device Letters

Pagination :

494-496

Éditeur :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Date de publication :

2008

ISSN :

0741-3106

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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