Low-temperature grown GaAsSb with ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1093/ietele/e91-c.7.1058
URL permanente :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/51173
Titre :
Low-temperature grown GaAsSb with sub-picosecond photocarrier lifetime for continuous-wave terahertz measurements
Auteur(s) :
Sigmund, J. [Auteur]
Lampin, J.F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ivannikov, V. [Auteur]
Sydlo, C. [Auteur]
Feiginov, M. [Auteur]
Pavlidis, D. [Auteur]
Meissner, P. [Auteur]
Hartnagel, H.L. [Auteur]
Éditeur :
Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
Date de publication :
2008
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Date de dépôt :
2021-07-27T20:02:19Z