Titre :

AlGaN/GaN HEMTs on (001) oriented silicon substrate based on 100nm SiN recessed gate technology for low cost device fabrication

Auteur(s) :

Boulay, S. [Auteur]
Touati, S. [Auteur]
Sar, A. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Joblot, S. [Auteur]
Cordier, Y. [Auteur]
Semond, F. [Auteur]
Massies, J. [Auteur]

Titre de la manifestation scientifique :

2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007

Pays :

Allemagne

Date de début de la manifestation scientifique :

2007

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of the 2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007

Éditeur :

IEEE, Piscataway, NJ, USA

Date de publication :

2007

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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