X-band power characterisation of AlInN/AlN/GaN ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
X-band power characterisation of AlInN/AlN/GaN HEMT grown on SiC substrate
Auteur(s) :
Sarazin, Nicolas [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Jardel, Olivier [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Morvan, Erwan [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Aubry, Raphaël [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Laurent, M. [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Magis, M. [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Tordjman, Maurice [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Alloui, M. [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Drisse, O. [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Di Persio, J. [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Vellas, Nicolas [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Jardel, Olivier [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Morvan, Erwan [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Aubry, Raphaël [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Laurent, M. [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Magis, M. [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Tordjman, Maurice [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Alloui, M. [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Drisse, O. [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Di Persio, J. [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Vellas, Nicolas [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Electronics Letters
Pagination :
1317-1318
Éditeur :
IET
Date de publication :
2007
ISSN :
0013-5194
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
AlInN/AlN/GaN based HEMTs were fabricated on SiC substrate to demonstrate the high potentiality of these heterostructures. The presented results confirm the high performances reachable by AlInN based technology with an ...
Lire la suite >AlInN/AlN/GaN based HEMTs were fabricated on SiC substrate to demonstrate the high potentiality of these heterostructures. The presented results confirm the high performances reachable by AlInN based technology with an output power of 6.8 W/mm at 10 GHz with a gate length of 0.25 µm. A good extrinsic transconductance value of 400 mS/mm was also measured on these transistors. The results are believed to be the best power results published about AlInN/GaN HEMTs.Lire moins >
Lire la suite >AlInN/AlN/GaN based HEMTs were fabricated on SiC substrate to demonstrate the high potentiality of these heterostructures. The presented results confirm the high performances reachable by AlInN based technology with an output power of 6.8 W/mm at 10 GHz with a gate length of 0.25 µm. A good extrinsic transconductance value of 400 mS/mm was also measured on these transistors. The results are believed to be the best power results published about AlInN/GaN HEMTs.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :