AlGaN/GaN HEMTs on a (001)-oriented silicon ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
AlGaN/GaN HEMTs on a (001)-oriented silicon substrate based on 100-nm SiN recessed gate technology for microwave power amplification
Author(s) :
Boulay, S. [Auteur]
Touati, S. [Auteur]
Sar, A. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Joblot, S. [Auteur]
Cordier, Y. [Auteur]
Semond, F. [Auteur]
Massies, J. [Auteur]
Touati, S. [Auteur]
Sar, A. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]

Gaquiere, Christophe [Auteur]

De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Joblot, S. [Auteur]
Cordier, Y. [Auteur]
Semond, F. [Auteur]
Massies, J. [Auteur]
Journal title :
IEEE Transactions on Electron Devices
Pages :
2843-2848
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2007
ISSN :
0018-9383
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :