Physical study of the dissipated power ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1016/j.mejo.2006.07.025
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/51635
Title :
Physical study of the dissipated power area in high electron mobility transistors for thermal modelling
Author(s) :
Benbakhti, B. [Auteur]
Rousseau, M [Auteur]
De Jaeger, J.C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2007
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T20:34:36Z