Titre :

Characterization and fabrication of InGaAsP/InP deep-etched micro-waveguides

Auteur(s) :

Beaurain, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dupont, Samuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Li, H.W. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vilcot, J.P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Legrand, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Harari, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Constant, M. [Auteur]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Decoster, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Date de publication :

2004

Résumé en anglais : [en]

InGaAsP/InP micro-waveguides are fabricated by a deep (>3 m) Reactive Ion Etching. The devices losses are measured by the Fabry-Perot technique for guide width contained between 10 m and 0.5 m. The measured losses range ...
Lire la suite >InGaAsP/InP micro-waveguides are fabricated by a deep (>3 m) Reactive Ion Etching. The devices losses are measured by the Fabry-Perot technique for guide width contained between 10 m and 0.5 m. The measured losses range from 2 dB/mm to 14 dB/mm. © 2004 Wiley Periodicals, Inc.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL

Date de dépôt :

2021-07-27T20:41:29Z