Titre :

Optimisation of abrupt emitter-base junction for heavily Be-doped InP/In0.53Ga0.47As heterojunction bipolar transistor

Auteur(s) :

Lefebvre, E. [Auteur]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

14th Indium Phosphide and Related Materials Conference, IPRM 2002

Pays :

Suède

Date de début de la manifestation scientifique :

2002

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference, IPRM 2002

Éditeur :

IEEE, Piscataway, NJ, USA

Date de publication :

2002

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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