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Photomixing at 1.55 µm in ion-irradiated ...
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Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/ICIMW.2006.368416
Title :
Photomixing at 1.55 µm in ion-irradiated In0.53Ga0.47As on InP
Author(s) :
Mangeney, Juliette [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Chimot, Nicolas [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Crozat, Paul [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Blary, Karine [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mouret, Gaël [Auteur]
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère [LPCA]
Bigourd, Damien [Auteur]
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère [LPCA]
Fertein, Eric [Auteur]
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère [LPCA]
Conference title :
Joint 31st International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 14th International Conference on Terahertz Electronics, IRMMW-THz2006
City :
Shanghai
Country :
Chine
Start date of the conference :
2006-09-18
Book title :
2006 Joint 31st International Conference on Infrared Millimeter Waves and 14th International Conference on Teraherz Electronics
Publisher :
IEEE
Publication date :
2007-06-04
English keyword(s) :
Bolometers
Optical receivers
Indium phosphide
Voltage
Frequency measurement
Power lasers
Laser excitation
Photoconductivity
Gallium arsenide
Optical sensors
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
We report the first demonstration of a terahertz photomixer made of ion-irradiated In 0.53 Ga 0.47 As lattice-matched to InP and fiber-optic coupled with the 1.55 μm wavelength drive lasers. The detected signal is at the ...
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We report the first demonstration of a terahertz photomixer made of ion-irradiated In 0.53 Ga 0.47 As lattice-matched to InP and fiber-optic coupled with the 1.55 μm wavelength drive lasers. The detected signal is at the most 15 dB lower than the one obtained from similar photomixers fabricated from low-temperature-grown GaAs.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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