Can InAlN/GaN be an alternative to high ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/IEDM.2006.346935
Title :
Can InAlN/GaN be an alternative to high power/high temperature AlGaN/GaN devices ?
Author(s) :
Medjdoub, Farid [Auteur] refId
Carlin, J.F. [Auteur]
Gonschorek, M. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Py, M.A. [Auteur]
Ducatteau, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Conference title :
IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2006
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2006
Book title :
Proceedings of the 2006 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2006
Publisher :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Publication date :
2006
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL