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Terahertz radiation from heavy-ion irradiated ...
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Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
10.1063/1.2126110
Title :
Terahertz radiation from heavy-ion irradiated In0.35Ga0.47As photoconductive antenna at 1.55 µm
Author(s) :
Chimot, Nicolas [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Mangeney, Juliette [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Joulaud, L. [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Crozat, Paul [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Bernas, Harry [Auteur]
Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse [CSNSM]
Blary, Karine [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Applied Physics Letters
Pages :
279-280
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2005
ISSN :
0003-6951
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
We investigate terahertz (THz) emission from heavy-ion-irradiated In <sub>0.53</sub> Ga <sub>0.47</sub> As photoconductive antennas excited at 1550 nm. The carrier lifetime in the highly irradiated In <sub>0.53</sub> Ga ...
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We investigate terahertz (THz) emission from heavy-ion-irradiated In <sub>0.53</sub> Ga <sub>0.47</sub> As photoconductive antennas excited at 1550 nm. The carrier lifetime in the highly irradiated In <sub>0.53</sub> Ga <sub>0.47</sub> As layer is less than 200 fs, the steady-state mobility is 490 cm <sup>2</sup> V <sup>-1</sup> s <sup>-1</sup> , and the dark resistivity is 3 Ω cm . The spectrum of the electric field radiating from the Br <sup>+</sup> -irradiated In <sub>0.53</sub> Ga <sub>0.47</sub> As antenna extends beyond 2 THz. The THz electric field magnitude is shown to saturate at high optical pump fluence, and the saturation fluence level increases with the irradiation dose, indicating that defect center scattering has a significant contribution to the transient mobilityShow less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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