Titre :

Terahertz radiation from heavy-ion irradiated In0.35Ga0.47As photoconductive antenna at 1.55 µm

Auteur(s) :

Chimot, Nicolas [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Mangeney, Juliette [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Joulaud, L. [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Crozat, Paul [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Bernas, Harry [Auteur]
Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse [CSNSM]
Blary, Karine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Applied Physics Letters

Pagination :

279-280

Éditeur :

American Institute of Physics

Date de publication :

2005

ISSN :

0003-6951

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

We investigate terahertz (THz) emission from heavy-ion-irradiated In _0.53 Ga _0.47 As photoconductive antennas excited at 1550 nm. The carrier lifetime in the highly irradiated In _0.53 Ga ...
Lire la suite >We investigate terahertz (THz) emission from heavy-ion-irradiated In _0.53 Ga _0.47 As photoconductive antennas excited at 1550 nm. The carrier lifetime in the highly irradiated In _0.53 Ga _0.47 As layer is less than 200 fs, the steady-state mobility is 490 cm ² V ^-1 s ^-1 , and the dark resistivity is 3 Ω cm . The spectrum of the electric field radiating from the Br ⁺ -irradiated In _0.53 Ga _0.47 As antenna extends beyond 2 THz. The THz electric field magnitude is shown to saturate at high optical pump fluence, and the saturation fluence level increases with the irradiation dose, indicating that defect center scattering has a significant contribution to the transient mobilityLire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL