ANN model for AlGaN/GaN HEMTs constructed ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
ANN model for AlGaN/GaN HEMTs constructed from near-optimal-load large-signal measurements
Auteur(s) :
Schreurs, D. [Auteur]
Verspecht, J. [Auteur]
Vandamme, E. [Auteur]
Vellas, N. [Auteur]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Germain, Marie [Auteur]
Borghs, G. [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2003
Titre de l’ouvrage :
2003 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2003
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL