Dry etching for gate recessing on AlGaN/GaN HEMTs

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/52102
Title :
Dry etching for gate recessing on AlGaN/GaN HEMTs
Author(s) :
Guhel, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
De Jaeger, J.C. [Auteur]
Conference title :
10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000
City :
Ulm
Country :
Allemagne
Start date of the conference :
2000
Publication date :
2000
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T21:08:38Z