Dry etching for gate recessing on AlGaN/GaN HEMTs

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
URL permanente :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/52102
Titre :
Dry etching for gate recessing on AlGaN/GaN HEMTs
Auteur(s) :
Guhel, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
De Jaeger, J.C. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000
Ville :
Ulm
Pays :
Allemagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2000
Date de publication :
2000
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Date de dépôt :
2021-07-27T21:08:38Z