1 W/mm GaAs PHEMT for realization of linear ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
1 W/mm GaAs PHEMT for realization of linear power amplifier in the K band
Auteur(s) :
Hue, X. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rogeaux, E. [Auteur]
Cazaux, J.L. [Auteur]
Mallet, Alain [Auteur]
Lapierre, L. [Auteur]
Boudart, B. [Auteur]
Bonte, B. [Auteur]
Crosnier, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rogeaux, E. [Auteur]
Cazaux, J.L. [Auteur]
Mallet, Alain [Auteur]
Lapierre, L. [Auteur]
Boudart, B. [Auteur]
Bonte, B. [Auteur]
Crosnier, Y. [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2000
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 8th European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium, GAAS 2000
Éditeur :
European Microwave Association, London, UK
Date de publication :
2000
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :