Titre :

Electron induced dissociation of SiH complexes in hydrogenated Si doped GaAs. Application to the fabrication of microstructures

Auteur(s) :

Silvestre, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Constant, E. [Auteur]
Bernard, Dorothee [Auteur]
Constant, M. [Auteur]
Chevallier, Jacques [Auteur]

Titre de la revue :

Superlattices and Microstructures

Pagination :

431-435

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

2000

ISSN :

0749-6036

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL