Modélisation des défauts étendus pour la ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Modélisation des défauts étendus pour la diffusion transitoire accélérée du bore
Author(s) :
Lampin, E. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Senez, V. [Auteur]
Claverie, Alain [Auteur]
Conference title :
1ère Journée Nationale Impuretés et Défauts dans les Composants Ultimes, GDR Nanoélectronique : du silicium à la molécule
City :
Orsay
Country :
France
Start date of the conference :
2000
Publication date :
2000
Language :
Français
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
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