Modélisation des défauts étendus pour la ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Modélisation des défauts étendus pour la diffusion transitoire accélérée du bore
Auteur(s) :
Lampin, E. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Senez, V. [Auteur]
Claverie, Alain [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
1ère Journée Nationale Impuretés et Défauts dans les Composants Ultimes, GDR Nanoélectronique : du silicium à la molécule
Ville :
Orsay
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2000
Date de publication :
2000
Langue :
Français
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
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