Comparison of In0.33Al0.67As/In0.34Ga0.66As ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
Comparison of In0.33Al0.67As/In0.34Ga0.66As on GaAs metamorphic high electron mobility transistors grown by molecular beam epitaxy with normal and inverse step on linear graded buffer layers
Author(s) :
Cordier, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chauveau, J.M. [Auteur]
Ferre, D. [Auteur]
Dipersio, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chauveau, J.M. [Auteur]
Ferre, D. [Auteur]
Dipersio, J. [Auteur]
Journal title :
Journal of Vacuum Science and Technology
Pages :
2513-2517
Publisher :
American Vacuum Society (AVS)
Publication date :
2000
ISSN :
0022-5355
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :