Conduction band offset at the (AIxGa1-x)yIn1-y/Ga0.52In0.48P interface : a photoluminescence study

Type de document :

Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes

Titre :

Auteur(s) :

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mollot, F. [Auteur]

Titre de la manifestation scientifique :

Proceedings of the 11th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE XI

Ville :

Beijing

Pays :

Chine

Date de début de la manifestation scientifique :

2000

Date de publication :

2000

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

Source :

Conduction band offset at the (AIxGa1-x) ... BibTeX CSV Excel RIS