Design optimization of low-noise HEMTs
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Design optimization of low-noise HEMTs
Auteur(s) :
Mateos-Lopez, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gonzales, T. [Auteur]
Pardo, D. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gonzales, T. [Auteur]
Pardo, D. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]

Bollaert, Sylvain [Auteur]

Cappy, Alain [Auteur]

Date de début de la manifestation scientifique :
2000
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors
Éditeur :
Springer Verlag
Date de publication :
2000
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :