70 GHz Fmax fully-depleted SOI MOSFET's ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
70 GHz Fmax fully-depleted SOI MOSFET's for low power wireless applications
Auteur(s) :
Raynaud, C. [Auteur]
Faynot, O. [Auteur]
Pelloie, J.L. [Auteur]
Tabone, C. [Auteur]
Grouillet, A. [Auteur]
Martin, F. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vanmackelberg, M. [Auteur]
Picheta, L. [Auteur]
Mackowiak, E. [Auteur]
Brut, H. [Auteur]
Llnares, P. [Auteur]
Sevenhans, J. [Auteur]
Compagne, E. [Auteur]
Fletcher, G. [Auteur]
Faynot, O. [Auteur]
Pelloie, J.L. [Auteur]
Tabone, C. [Auteur]
Grouillet, A. [Auteur]
Martin, F. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vanmackelberg, M. [Auteur]
Picheta, L. [Auteur]
Mackowiak, E. [Auteur]
Brut, H. [Auteur]
Llnares, P. [Auteur]
Sevenhans, J. [Auteur]
Compagne, E. [Auteur]
Fletcher, G. [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2000
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 8th European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Application Symposium, GAAS 2000
Éditeur :
European Microwave Association
Date de publication :
2000
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :