CBr4 and Be heavily doped InGaAs grown in ...

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
CBr4 and Be heavily doped InGaAs grown in a production MBE system
Auteur(s) :
Godey, Sylvie [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dhellemmes, S. [Auteur]
Wilk, A. [Auteur]
Zaknoune, Mohammed [Auteur] refId
Mollot, F. [Auteur]
Titre de la revue :
Journal of Crystal Growth
Pagination :
600-603
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2005
ISSN :
0022-0248
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL