Title :

Fabrication and characterization of 100-nm In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As double-gate HEMTs with two separate gate controls

Author(s) :

Wichmann, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Duszynski, I. [Auteur]
Wallart, X. [Auteur]
Bollaert, S. [Auteur]
Cappy, A. [Auteur]

Journal title :

IEEE Electron Device Letters

Pages :

601-603

Publisher :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Publication date :

2005

ISSN :

0741-3106

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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