Fabrication and characterization of 100-nm ...
Document type :
Article dans une revue scientifique
Title :
Fabrication and characterization of 100-nm In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As double-gate HEMTs with two separate gate controls
Author(s) :
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Duszynski, I. [Auteur]
Wallart, X. [Auteur]
Bollaert, S. [Auteur]
Cappy, A. [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Duszynski, I. [Auteur]
Wallart, X. [Auteur]
Bollaert, S. [Auteur]
Cappy, A. [Auteur]
Journal title :
IEEE Electron Device Letters
Pages :
601-603
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2005
ISSN :
0741-3106
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :