Hot carrier aging degradation phenomena ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Hot carrier aging degradation phenomena in GaN based MESFETs
Auteur(s) :
Rampazzo, F. [Auteur]
Pierobon, G. [Auteur]
Pacetta, D. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Meneghesso, G. [Auteur]
Zanoni, E. [Auteur]
Pierobon, G. [Auteur]
Pacetta, D. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Meneghesso, G. [Auteur]
Zanoni, E. [Auteur]
Titre de la revue :
Microelectronics Reliability
Pagination :
1375-1380
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2004
ISSN :
0026-2714
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :