Interfaces between gamma-Al2O3 and silicon

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1016/j.mssp.2006.10.043
Titre :
Interfaces between gamma-Al2O3 and silicon
Auteur(s) :
Boulenc, Pierre [Auteur]
Institut Supérieur de l'Electronique et du Numérique - Lille [ISEN-Lille]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Devos, Isabelle [Auteur]
Institut Supérieur de l'Electronique et du Numérique - Lille [ISEN-Lille]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Materials Science in Semiconductor Processing
Pagination :
949-953
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2006
ISSN :
1369-8001
Mot(s)-clé(s) en anglais :
g-Al2O3
High-k
Epitaxy
Interface
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
As the epitaxy of crystalline LaAlO3 has not been realized yet, we investigated the use of a g-Al2O3 buffer layer betweenthe high-k and the substrate. We firstly studied the structural matching of g-Al2O3(0 0 1) with a ...
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Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
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