0.12µm gate length In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
0.12µm gate length In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs on transferred substrate
Auteur(s) :
Bollaert, Sylvain [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur] refId
lepilliet, sl [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur] refId
Jalaguier, E. [Auteur]
Pocas, S. [Auteur]
Aspar, B. [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2002
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 28th International Symposium Compound Semiconductors, ISCS 2001
Éditeur :
IOP Publishing, Bristol, UK
Date de publication :
2002
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL