0.12µm gate length In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes: Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/52487
Title :
0.12µm gate length In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs on transferred substrate
Author(s) :
Bollaert, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, X. [Auteur]
Lepilliet, S. [Auteur]
Cappy, A. [Auteur]
Jalaguier, E. [Auteur]
Pocas, S. [Auteur]
Aspar, B. [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Start date of the conference :
2002
Book title :
Proceedings of the 28th International Symposium Compound Semiconductors, ISCS 2001
Publisher :
IOP Publishing, Bristol, UK
Publication date :
2002
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T21:32:02Z