Titre :

Parameter extraction and geometry effects on the electronic properties of submicron MOS transistors

Auteur(s) :

Bakhtiar, H. [Auteur]
Soltani, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoffmann, A. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Charles, J.P. [Auteur]

Titre de la revue :

Jurnal Fizik UTM

Pagination :

1-22

Date de publication :

2001

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL