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Electrical effects of SiNX deposition on ...
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Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Electrical effects of SiNX deposition on GaN MESFETs
Auteur(s) :
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Guhel, Y. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Poisson, M.A. [Auteur]
Titre de la revue :
Electronics Letters
Pagination :
527-528
Éditeur :
IET
Date de publication :
2001
ISSN :
0013-5194
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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