Electrical effects of SiNX deposition on ...

Type de document :
Article dans une revue scientifique
Titre :
Electrical effects of SiNX deposition on GaN MESFETs
Auteur(s) :
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Guhel, Y. [Auteur]
de Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
Titre de la revue :
Electronics Letters
Pagination :
527-528
Éditeur :
IET
Date de publication :
2001
ISSN :
0013-5194
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL