Transistors à effet de champ de la filière ...
Document type :
Partie d'ouvrage
Title :
Transistors à effet de champ de la filière AlInAs/GaInAs sur substrats GaAs et InP pour amplification de puissance en ondes millimétriques : étude et réalisation
Author(s) :
Boudrissa, Mustafa [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Publication date :
2001
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Français
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :