Transistors à effet de champ de la filière ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/52567
Title :
Transistors à effet de champ de la filière AlInAs/GaInAs sur substrats GaAs et InP pour amplification de puissance en ondes millimétriques : étude et réalisation
Author(s) :
Boudrissa, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Publication date :
2001
Language :
Français
Audience :
Non spécifiée
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T21:37:11Z