Titre :

Relationship between surface reconstruction and morphology of strained Ga1-xInxP layers grown on GaP(001) by gas source molecular beam epitaxy

Auteur(s) :

Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]

Titre de la revue :

Applied Physics Letters

Pagination :

2961-2963

Éditeur :

American Institute of Physics

Date de publication :

2001

ISSN :

0003-6951

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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