0.06µm gate length metamorphic InAlAS/InGaAs ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
0.06µm gate length metamorphic InAlAS/InGaAs HEMTs on GaAs with ft and fmax
Author(s) :
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Parenty, T. [Auteur]
Happy, Henri [Auteur]
lepilliet, sl [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]

Parenty, T. [Auteur]
Happy, Henri [Auteur]

lepilliet, sl [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]

Start date of the conference :
2001
Book title :
Proceedings of the 13th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2001
Publisher :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Publication date :
2001
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :