Title :

Mise en évidence des effets de pièges sur le comportement électrique de transistors HEMT's AlGaN/GaN pour les applications hyperfréquences à haute linéarité

Author(s) :

Werquin, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Guhel, Y. [Auteur]
Vellas, N. [Auteur]
Minko, A. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Ducatteau, D. [Auteur]
Delos, E. [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
Semond, F. [Auteur]
de Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Conference title :

GDR Semiconducteurs à large bande interdite

City :

Montpellier

Country :

France

Start date of the conference :

2002

Publication date :

2002

Language :

Français

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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