AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si(111) ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si(111) substrate : from material assessment to RF power performances
Auteur(s) :
Cordier, Y. [Auteur]
Semond, F. [Auteur]
Lorenzini, P. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Natali, F. [Auteur]
Damilano, B. [Auteur]
Massies, J. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Minko, A. [Auteur]
Vellas, N. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dessertenne, B. [Auteur]
Cassette, S. [Auteur]
Al., Et [Auteur]
Semond, F. [Auteur]
Lorenzini, P. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Natali, F. [Auteur]
Damilano, B. [Auteur]
Massies, J. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Minko, A. [Auteur]
Vellas, N. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dessertenne, B. [Auteur]
Cassette, S. [Auteur]
Al., Et [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2002
Titre de l’ouvrage :
Physica Status Solidi C : Conferences and Critical Reviews,
Éditeur :
Wiley-VCH
Date de publication :
2002
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :