High linearity performance of gallium ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
High linearity performance of gallium nitride HEMT devices on silicon substrate at 4 GHz
Author(s) :
Vellas, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guhel, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Werquin, Matthieu [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bue-Erkmen, Frédéric [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
THALES [France]
Boudart, B. [Auteur]
THALES [France]
Semond, Fabrice [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guhel, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Werquin, Matthieu [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bue-Erkmen, Frédéric [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
THALES [France]
Boudart, B. [Auteur]
THALES [France]
Semond, Fabrice [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
IEEE Electron Device Letters
Pages :
461-463
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2002
ISSN :
0741-3106
English keyword(s) :
Linearity
Gallium nitride
HEMTs
Gallium arsenide
Silicon carbide
Microwave devices
III-V semiconductor materials
Aluminum gallium nitride
Thermal conductivity
Voltage
Gallium nitride
HEMTs
Gallium arsenide
Silicon carbide
Microwave devices
III-V semiconductor materials
Aluminum gallium nitride
Thermal conductivity
Voltage
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
In this letter, we demonstrate that, for high linearity application, GaN devices benefit from their high drain-source bias voltages. An improvement up to 20 dB in intermodulation ratio can be observed at high power levels ...
Show more >In this letter, we demonstrate that, for high linearity application, GaN devices benefit from their high drain-source bias voltages. An improvement up to 20 dB in intermodulation ratio can be observed at high power levels compared to usual GaAs PHEMT devices. This study demonstrates that the high bandgap GaN devices are ideal candidates for the applications requiring high power and linearity simultaneously.Show less >
Show more >In this letter, we demonstrate that, for high linearity application, GaN devices benefit from their high drain-source bias voltages. An improvement up to 20 dB in intermodulation ratio can be observed at high power levels compared to usual GaAs PHEMT devices. This study demonstrates that the high bandgap GaN devices are ideal candidates for the applications requiring high power and linearity simultaneously.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :