Titre :

High linearity performance of gallium nitride HEMT devices on silicon substrate at 4 GHz

Auteur(s) :

Vellas, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guhel, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Werquin, Matthieu [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bue-Erkmen, Frédéric [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
THALES [France]
Boudart, B. [Auteur]
THALES [France]
Semond, Fabrice [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

IEEE Electron Device Letters

Pagination :

461-463

Éditeur :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Date de publication :

2002

ISSN :

0741-3106

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Linearity
Gallium nitride
HEMTs
Gallium arsenide
Silicon carbide
Microwave devices
III-V semiconductor materials
Aluminum gallium nitride
Thermal conductivity
Voltage

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

In this letter, we demonstrate that, for high linearity application, GaN devices benefit from their high drain-source bias voltages. An improvement up to 20 dB in intermodulation ratio can be observed at high power levels ...
Lire la suite >In this letter, we demonstrate that, for high linearity application, GaN devices benefit from their high drain-source bias voltages. An improvement up to 20 dB in intermodulation ratio can be observed at high power levels compared to usual GaAs PHEMT devices. This study demonstrates that the high bandgap GaN devices are ideal candidates for the applications requiring high power and linearity simultaneously.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL