Title :

High linearity performance of gallium nitride HEMT devices on silicon substrate at 4 GHz

Author(s) :

Vellas, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guhel, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Werquin, Matthieu [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bue-Erkmen, Frédéric [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
THALES [France]
Boudart, B. [Auteur]
THALES [France]
Semond, Fabrice [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

IEEE Electron Device Letters

Pages :

461-463

Publisher :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Publication date :

2002

ISSN :

0741-3106

English keyword(s) :

Linearity
Gallium nitride
HEMTs
Gallium arsenide
Silicon carbide
Microwave devices
III-V semiconductor materials
Aluminum gallium nitride
Thermal conductivity
Voltage

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

In this letter, we demonstrate that, for high linearity application, GaN devices benefit from their high drain-source bias voltages. An improvement up to 20 dB in intermodulation ratio can be observed at high power levels ...
Show more >In this letter, we demonstrate that, for high linearity application, GaN devices benefit from their high drain-source bias voltages. An improvement up to 20 dB in intermodulation ratio can be observed at high power levels compared to usual GaAs PHEMT devices. This study demonstrates that the high bandgap GaN devices are ideal candidates for the applications requiring high power and linearity simultaneously.Show less >

Language :

Anglais

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL