Electron lifetime of heavily Be-doped ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Electron lifetime of heavily Be-doped In0.53Ga0.47As as a function of growth temperature and doping density
Author(s) :
Vignaud, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Lefebvre, E. [Auteur]
Zaknoune, M. [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Start date of the conference :
2002
Book title :
Proceedings of the 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference, IPRM 2002
Publisher :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Publication date :
2002
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL