Titre :

Electron lifetime of heavily Be-doped In0.53Ga0.47As as a function of growth temperature and doping density

Auteur(s) :

Vignaud, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Lefebvre, E. [Auteur]
Zaknoune, M. [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]

Titre de la revue :

Applied Physics Letters

Pagination :

4151-4153

Éditeur :

American Institute of Physics

Date de publication :

2002

ISSN :

0003-6951

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL